摘要

消息称三星电子目标今年9月率先完成1d nm DRAM内存研发，有望2027年底实现首批量产。DRAM价格整体延续分化上涨态势，主流规格持续走高。存储市场仍保持较高景气度，短期供需缺口持续存在。

引言

8月19日，据财联社报道，近日，业内人士透露，三星电子目标2026年9月率先完成1d nm DRAM内存研发，2026年12月进入量产转移阶段，2027年上半年启动生产线建设，有望2027年底实现首批量产。

解读

DRAM（动态随机存取存储器）是全球存储芯片市场占比最大的品类，广泛应用于服务器、移动终端、PC和智能汽车等领域。当前全球DRAM市场由三星、SK海力士和美光三家寡头垄断。

据悉，1d 是一种电路线宽为10至11纳米 (nm) 的 DRAM，是三星现有1c DRAM之后的下一代工艺。目前商用的第六代 10 纳米级 (1c) DRAM，其线宽经评估为 11至12纳米。线宽越窄，DRAM 的性能和能效就越好。

价格端，DRAM价格整体延续分化上涨态势，主流规格持续走高。DDR5（16Gb，4800/5600Mbps）现货平均价自2025年以来大幅上涨，截至8月14日价格已达52.73美元；DDR4各规格分化运行，16Gb（2Gx8）3200Mbps现货价升至88.21美元，16Gb（1Gx16）3200Mbps则回落至61.50美元。在AI需求拉动及供给端产能转向HBM的背景下，DRAM价格整体延续分化上涨态势，主流规格持续走高。

（图片来源：华鑫证券）

此外，根据摩根士丹利的最新预测，2026年第三季度，DDR4等成熟DRAM的价格将上涨50%，第四季度将再涨10%。根据摩根士丹利的最新预测，2026年第三季度，DDR4等成熟DRAM的价格将上涨50%，第四季度将再涨10%。

摩根士丹利表示，成熟的DRAM和NAND芯片的供应紧张局面，即将进一步恶化。而造成这一局面的主要原因在于供应端的产能转移，存储器制造商正持续将产能转向HBM、DDR5和更高层数的NAND闪存。

供需层面，万联证券表示，存储市场仍保持较高景气度AI算力建设及Agentic AI应用推动数据中心长期供货协议陆续落地地，HBM、服务器DRAM与企业级SSD优先抢占产能，消费及移动端需求被动受压；供给端，原厂持续优化产品结构，向高附加值AI存储倾斜，而新增有效产能释放周期较长，短期供需缺口持续存在。

机构重点关注

1、兆易创新（603986）：海外大厂持续退出利基型DRAM和SLC NAND Flash产能，供给缺口在2025年开始显著释放，公司有望借助其在NOR Flash领域的份额扩张经验，在本轮份额重分配中获得较快的份额和利润的增长。公司与长鑫的深度合作是DRAM业务的核心支撑，2026年从长鑫科技采购代工DRAM产品额度大幅提升至57.11亿元。业绩方面，公司2025年实现营业收入92.03亿元，同比增长25.12%；归母净利润16.48亿元，同比增长49.47%。2026年一季度营收41.88亿元，同比增长119.38%，归母净利润14.61亿元，同比增长522.79%。

2、佰维存储（688525）：公司聚焦半导体存储解决方案，研发封测一体化布局逐步完善，持续推进LPDDR5/5X、PCIe Gen5 SSD等高附加值产品导入，覆盖AI手机、AIPC、企业级存储及智能汽车等应用场景。东莞松山湖先进封测项目预计2026年末开始贡献收入。业绩方面，公司2025年实现营业收入113.02亿元，同比增长68.82%；归母净利润8.53亿元，同比增长429.07%。公司预计2026年上半年营收150-160亿元，同比增长283%-309%，归母净利润70-75亿元，同比大幅扭亏。

参考研报来源：
天风证券－《产业赛道投资图谱 存储芯片，AI重塑需求结构，结构性紧平衡支撑高景气延续》－2026年7月8日
万联证券－《电子行业跟踪报告：华为发布"韬（τ）定律"，长鑫科技DRAM市场份额排名前列》－2026年6月2日
交银国际－《兆易创新(603986)：产能替代窗口开启，大厂淡出与长鑫赋能共振》－2026年7月18日
华鑫证券－《兆易创新(603986)：存储、MCU迎涨价浪潮，多业务推动业绩强劲增长》－2026年7月10日
国金证券－《佰维存储(688525)：AI存储量价齐升，研发封测一体化释放成长弹性》－2026年8月7日

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